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碳化硅晶须(一诺材料EnoMaterial)
1. 碳化硅晶须的基本特征
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级别 |
SEM |
基本特征 |
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碳化硅晶须SiCW-80 |
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碳化硅晶须 SiCW-80，晶须含量为80%，适用于各类金属（铝合金、钛合金）、陶瓷（碳化硅、氮化硅、氧化锆、氧化铝、硼化锆、碳化铪等）、高分子（树脂、橡胶）复合材料的增强增韧、性能提高，也可作为导热填料、抗氧化涂层应用范围广泛，具有最佳的性价比，是工业客户的首选。 |
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碳化硅晶须SiCW-90 |
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碳化硅晶须 SiCW-90，晶须含量为90%，具有晶须含量高的特点，相比SiCW-98产品极具性价比。同样适用于半导体、催化、力学等尖端科学研究，也适合高性能复合材料的应用研究。 |
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碳化硅晶须SiCW-98 |
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碳化硅晶须 SiCW-98，晶须含量为98%，采用化学气相沉积（CVD）技术生产，SiCW-98具有晶须含量超高，长径比超大的特点，适用于半导体、催化、力学等各尖端科学领域研究。 |
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品 牌 |
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制 造 商 |
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2. 碳化硅晶须的规格型号
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碳 化 硅 晶 须 的 规 格 型 号 |
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The Grade of SiC Whiskers |
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项目 Items |
SiCW-80 |
SiCW-90 |
SiCW-98 |
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化学登录号 |
409-21-2 |
409-21-2 |
409-21-2 |
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晶体类型 |
Beta(Cubic) |
Beta(Cubic) |
Beta(Cubic) |
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密度 |
3.21 g/cm3 |
3.21 g/cm3 |
3.21 g/cm3 |
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熔点 |
3003 K |
3003 K |
3003 K |
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硬度 |
9.2 |
9.2 |
9.2 |
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膨胀系数 |
2.77×10-6 K-1 |
2.77×10-6 K-1 |
2.77×10-6 K-1 |
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热导率 |
100 W/(m·K) |
100 W/(m·K) |
100 W/(m·K) |
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模量 |
400 GPa |
400 GPa |
400 GPa |
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直径 |
200-500 nm |
100-600 nm |
100-600 nm |
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长度 |
10-50 μm |
10-50 μm |
100 μm |
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成线率 |
80 vol% |
90 Vol% |
98 vol% |
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状态 |
灰绿色 |
黄绿色 |
黄绿色 |
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化学成分 Chemical Composition (Wt%) |
CaO |
0.12 |
0.11 |
0.1 |
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Al2O3 |
0.2 |
0.1 |
0.1 |
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TiO2 |
0.1 |
0.08 |
0.08 |
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Fe2O3 |
0.1 |
0.08 |
0.08 |
|
|
MgO |
0.1 |
0.07 |
0.05 |
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Na2O |
0.07 |
0.06 |
0.05 |
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ZrO2 |
0.05 |
0.05 |
0.05 |
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品牌 Brand |
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制造商Manufacturer |
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3. 碳化硅晶须的使用指南
n 碳化硅晶须在使用前应尽可能进行预分散，以水、乙醇等为介质采用机械、超声分散后，再与基体材料混合。
n 碳化硅晶须在符合材料中的加入量并不是越高越好，通常存在一个最优值。普通陶瓷的加入量一般在1-10%，基体材料的真密度越大，碳化硅晶须的加入量将下降；有机类符合材料的加入量在0.5-3%。
n 碳化硅晶须与陶瓷类材料混合时，推荐采用机械搅拌或浆料湿法球磨，可降低碳化硅晶须在高强度混合条件下折断的几率。
n 低粘度的碳化硅晶须复合材料浆料，建议采用旋转蒸发干燥，或尽可能形成大面积薄层浆料进行干燥，以避免碳化硅晶须与基体材料晶粒在干燥过程中发生分层。
n 高温烧结或高温混合过程中，应导入惰性气氛或抽真空，避免碳化硅晶须在高温条件下与氧气、氮气反应，导致结构破坏和性能下降。
n 碳化硅晶须与树脂类材料混合前应使用偶联剂进行表面改性，增强碳化硅晶须与树脂基体的结合强度，偶联剂的选用应根据树脂类型和产品要求。
n 通过挤压成型、注射成型、电泳等方式，根据产品性能要求，可实现碳化硅晶须在基体材料中的定向排布，通常情况下碳化硅晶须的排列方向是随机的。
n 尽管已进行过酸洗纯化，但仍建议客户在用于半导体、催化等研究时，再次进行酸洗去除吸附物，提高活性达到最佳研究效果。
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